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Fabricante	NTE Electronics
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	600V
Corriente del drenaje	3,9A
Corriente del drenaje en impulso	25A
Poder disipado	125W
Carcasa	TO220
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	1,2Ω
Montaje	THT
Clase de canal	enriquecido

NTE2379

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 125W; TO220

Especificación