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Fabricante	NTE Electronics
Tipo de transistor	IGBT
Tensión colector-emisor	1,2kV
Corriente de colector	25A
Poder disipado	200W
Carcasa	TO3P
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	50A
Montaje	THT
Tiempo de conexión	0,4µs
Tiempo de desconexión	0,8µs

NTE3323

Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P

Especificación