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Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	105A
Carcasa	PIM18
Topología	medio puente MOSFET
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	24,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso	316A
Poder disipado	272W
Tecnología	SiC
Tensión puerta-fuente	-10...22V
Clase de empaquetado	bandeja
Montaje mecánico	atornillado

NXH010P120M3F1PG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB

Especificación