+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Llame al +48 42 645 54 44

Registrarse

Quick Buy Favoritos

Le informamos que sólo aceptamos pedidos de clientes corporativos.

Procesamiento de datos en progreso

Su límite de crédito ha sido sobrepasado. Su pedido está introducido en el sistema pero no se realizará. No se realizara tampoco el horario para productos pedidos. Contáctese con un empleado de TME.

Se ha realizado una operación con éxito.

Ocurrió un error inesperado. Inténtalo de nuevo.

Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	91A
Carcasa	PIM29
Topología	TNPC inversor de 3 niveles
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	28,1mΩ
Corriente del drenaje en impulso	273A
Poder disipado	272W
Tecnología	SiC
Tensión puerta-fuente	-10...22V
Clase de empaquetado	bandeja
Montaje mecánico	atornillado

NXH011T120M3F2PTHG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB

Especificación