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NXH030F120M3F1PTG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH030F120M3F1PTG
Símbolo TME:
NXH030F120M3F1PTG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
38A
Carcasa
PIM22
Topología
puente H
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
68,2mΩ
Corriente del drenaje en impulso
115A
Poder disipado
100W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-10...22V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules ONSEMI,
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NXH030F120M3F1PTG
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Precio neto para cantidades a partir de 28 und - 73.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 28 und - 73.63 USD
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