APT35GP120B2D2G
晶体管: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
生产商: MICROCHIP TECHNOLOGY
指定生产商:
APT35GP120B2D2G
TME符号:
APT35GP120B2D2G
产品规格
制造商 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
晶体管类型 | IGBT | |
技术 | POWER MOS 7®, PT | |
集电极-发射极电压 | 1.2kV | |
集电极电流 | 46A | |
耗电 | 543W | |
封装 | T-Max | |
栅极 - 发射极电压 | ±30V | |
脉冲集电极电流 | 140A | |
安装方式 | THT | |
栅极电荷 | 150nC | |
包装类型 | 管 | |
开启时间 | 36ns | |
关闭时间 | 0.22µs | |
半导体设备特性 | integrated anti-parallel diode |
总重量6 g
认证
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.是此品牌产品的进口商
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* APT35GP120B2D2G数量 (多次: 1)
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