APT40GR120B2D30
晶体管: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max; 部件状态: 不建议用于新设计
生产商: MICROCHIP TECHNOLOGY
指定生产商:
APT40GR120B2D30
TME符号:
APT40GR120B2D30
产品规格
制造商 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
晶体管类型 | IGBT | |
技术 | NPT, POWER MOS 8® | |
集电极-发射极电压 | 1.2kV | |
集电极电流 | 40A | |
耗电 | 500W | |
封装 | T-Max | |
栅极 - 发射极电压 | ±30V | |
脉冲集电极电流 | 160A | |
安装方式 | THT | |
栅极电荷 | 0.21µC | |
包装类型 | 管 | |
开启时间 | 47ns | |
关闭时间 | 232ns | |
半导体设备特性 | integrated anti-parallel diode | |
部件状态 | 不建议用于新设计 |
总重量6.76 g
认证
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.是此品牌产品的进口商
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