BGH50N65HS1
晶体管: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
生产商: BASiC SEMICONDUCTOR
指定生产商:
BGH50N65HS1
TME符号:
BGH50N65HS1
产品规格
制造商 | BASiC SEMICONDUCTOR | |
晶体管类型 | IGBT | |
技术 | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
集电极-发射极电压 | 650V | |
集电极电流 | 50A | |
耗电 | 357W | |
封装 | TO247-3 | |
栅极 - 发射极电压 | ±20V | |
脉冲集电极电流 | 200A | |
安装方式 | THT | |
栅极电荷 | 308nC | |
包装类型 | 管 | |
开启时间 | 54ns | |
关闭时间 | 256ns | |
半导体设备特性 | integrated anti-parallel diode |
总重量6.26 g
认证
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.是此品牌产品的进口商
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