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BGH75N65HF1

晶体管: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3

生产商: BASiC SEMICONDUCTOR

指定生产商:
BGH75N65HF1
TME符号:
BGH75N65HF1

产品规格

制造商
BASiC SEMICONDUCTOR
晶体管类型
IGBT
技术
Field Stop, SiC SBD, Trench
集电极-发射极电压
650V
集电极电流
75A
耗电
405W
封装
TO247-3
栅极 - 发射极电压
±20V
脉冲集电极电流
300A
安装方式
THT
栅极电荷
444nC
包装类型
开启时间
104ns
关闭时间
376ns
半导体设备特性
integrated anti-parallel diode
总重量5 g
认证

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.是此品牌产品的进口商

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