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IXFN160N30T

模块; 单晶体管; 300V; 130A; SOT227B; 螺钉; 极化: 单极; Idm: 444A; 900W; GigaMOS™

生产商: IXYS

指定生产商:
IXFN160N30T
TME符号:
IXFN160N30T

产品规格

制造商
IXYS
半导体模块类型
MOSFET 晶体管
半导体结构
单晶体管
漏极-源极电压
300V
漏极电流
130A
封装
SOT227B
电气安装方式
螺钉
极化
单极
开启状态电阻
19mΩ
脉冲漏极电流
444A
耗电
900W
技术
GigaMOS™
通道种类
增强
栅极电荷
376nC
反向恢复时间
200ns
栅极-源极电压
±30V
机械安装方式
螺纹
总重量35.8 g
认证
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