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IXFN82N60Q3

模块; 单晶体管; 600V; 66A; SOT227B; 螺钉; 极化: 单极; Idm: 240A; 960W; 通道: 增强; 275nC

生产商: IXYS

指定生产商:
IXFN82N60Q3
TME符号:
IXFN82N60Q3

产品规格

制造商
IXYS
半导体模块类型
MOSFET 晶体管
半导体结构
单晶体管
漏极-源极电压
600V
漏极电流
66A
封装
SOT227B
电气安装方式
螺钉
极化
单极
开启状态电阻
75mΩ
脉冲漏极电流
240A
耗电
960W
技术
HiPerFET™, Q3-Class
通道种类
增强
栅极电荷
275nC
反向恢复时间
300ns
栅极-源极电压
±40V
机械安装方式
螺纹
总重量27.3 g
认证
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