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NXH006P120M3F2PTHG

模块; 晶体管/晶体管; 1.2kV; 191A; PIM36; 拓扑: MOSFET 半桥; Press-in PCB; 556W

生产商: ONSEMI

指定生产商:
NXH006P120M3F2PTHG
TME符号:
NXH006P120M3F2PTHG

产品规格

制造商
ONSEMI
半导体模块类型
MOSFET 晶体管
半导体结构
晶体管/晶体管
漏极-源极电压
1.2kV
漏极电流
191A
封装
PIM36
拓扑
MOSFET 半桥
电气安装方式
Press-in PCB
开启状态电阻
14.6mΩ
脉冲漏极电流
382A
耗电
556W
技术
SiC
栅极-源极电压
-10...22V
包装类型
托盘中
机械安装方式
螺纹
总重量100 g
认证
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