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NXH007F120M3F2PTHG

模块; 晶体管/晶体管; 1.2kV; 149A; PIM34; 拓扑: H 桥; Press-in PCB; Idm: 447A

生产商: ONSEMI

指定生产商:
NXH007F120M3F2PTHG
TME符号:
NXH007F120M3F2PTHG

产品规格

制造商
ONSEMI
半导体模块类型
MOSFET 晶体管
半导体结构
晶体管/晶体管
漏极-源极电压
1.2kV
漏极电流
149A
封装
PIM34
拓扑
H 桥
电气安装方式
Press-in PCB
开启状态电阻
15.9mΩ
脉冲漏极电流
447A
耗电
353W
技术
SiC
栅极-源极电压
-10...22V
包装类型
托盘中
机械安装方式
螺纹
总重量100 g
认证
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