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STD9N65DM6AG

晶体管: N-MOSFET; 单极; 650V; 9A; Idm: 28A; 89W; DPAK; 汽车业


生产商: STMicroelectronics

指定生产商:
STD9N65DM6AG
TME符号:
STD9N65DM6AG

产品规格

制造商
STMicroelectronics
晶体管类型
N-MOSFET
极化
单极
漏极-源极电压
650V
漏极电流
9A
脉冲漏极电流
28A
耗电
89W
封装
DPAK
栅极-源极电压
±25V
开启状态电阻
440mΩ
安装方式
SMD
栅极电荷
11.7nC
包装类型
卷, 胶带
通道种类
增强
应用
汽车业
总重量1 g
认证
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