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STGD4M65DF2

晶体管: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK; 特性: integrated anti-parallel diode

生产商: STMicroelectronics

指定生产商:
STGD4M65DF2
TME符号:
STGD4M65DF2

产品规格

制造商
STMicroelectronics
晶体管类型
IGBT
集电极-发射极电压
650V
集电极电流
4A
耗电
68W
封装
DPAK
栅极 - 发射极电压
±20V
脉冲集电极电流
16A
安装方式
SMD
栅极电荷
15.2nC
包装类型
卷, 胶带
半导体设备特性
integrated anti-parallel diode
总重量1 g
认证
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