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STGD6M65DF2

晶体管: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK; 特性: integrated anti-parallel diode


生产商: STMicroelectronics

指定生产商:
STGD6M65DF2
TME符号:
STGD6M65DF2

产品规格

制造商
STMicroelectronics
晶体管类型
IGBT
集电极-发射极电压
650V
集电极电流
6A
耗电
88W
封装
DPAK
栅极 - 发射极电压
±20V
脉冲集电极电流
24A
安装方式
SMD
栅极电荷
21.2nC
包装类型
卷, 胶带
半导体设备特性
integrated anti-parallel diode
总重量1 g
认证
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