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STGP30M65DF2

晶体管: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB

生产商: STMicroelectronics

指定生产商:
STGP30M65DF2
TME符号:
STGP30M65DF2

产品规格

制造商
STMicroelectronics
晶体管类型
IGBT
集电极-发射极电压
650V
集电极电流
30A
耗电
258W
封装
TO220AB
栅极 - 发射极电压
±20V
脉冲集电极电流
120A
安装方式
THT
栅极电荷
80nC
包装类型
半导体设备特性
integrated anti-parallel diode
总重量1.997 g
认证
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STGP30M65DF2
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