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STGWT80H65DFB

晶体管: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P


生产商: STMicroelectronics

指定生产商:
STGWT80H65DFB
TME符号:
STGWT80H65DFB

产品规格

制造商
STMicroelectronics
晶体管类型
IGBT
集电极-发射极电压
650V
集电极电流
80A
耗电
470W
封装
TO3P
栅极 - 发射极电压
±20V
脉冲集电极电流
300A
安装方式
THT
栅极电荷
414nC
包装类型
半导体设备特性
integrated anti-parallel diode
总重量5 g
认证
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