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WMSC008H12B1P6T

模块; 晶体管/晶体管; 1.2kV; 153A; 拓扑: MOSFET 半桥,NTC 热敏电阻器; Press-in PCB

生产商: WeEn Semiconductors

指定生产商:
WMSC008H12B1P6T
TME符号:
WMSC008H12B1P6T

产品规格

制造商
WeEn Semiconductors
半导体模块类型
MOSFET 晶体管
半导体结构
晶体管/晶体管
漏极-源极电压
1.2kV
漏极电流
153A
拓扑
MOSFET 半桥, NTC 热敏电阻器
电气安装方式
Press-in PCB
开启状态电阻
8mΩ
脉冲漏极电流
300A
耗电
244W
技术
SiC
栅极-源极电压
-4...18V
机械安装方式
螺纹
总重量20 g
认证
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WMSC008H12B1P6T
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