Díodo de Gunn - definição
Díodo de Gunn - definição
O Díodo De Gunn é um dispositivo semicondutor utilizado principalmente como fonte de radiação de micro-ondas. Pertence ao grupo dos díodos semelhantes a transístores, mas o seu funcionamento não se baseia na clássica junção p-n, mas no fenómeno da resistência dinâmica negativa num semicondutor homogéneo , como o arsenieto de gálio (GaAs) ou o fosforeto de índio (InP). Este efeito foi descrito em 1963 por John Gunn, que deu o nome ao elemento.
O fenómeno Gunn baseia-se no facto de, em determinadas condições de tensão, alguns dos portadores de carga serem deslocados para uma banda de energia com uma massa efectiva mais elevada, o que resulta numa diminuição da mobilidade e no aparecimento de áreas de maior resistência - os chamados domínios de campo elétrico elevado. Esse domínio percorre a estrutura semicondutora, gerando oscilações de tensão com frequências de vários a dezenas de gigahertz. Este fenómeno ocorre em estruturas sem junções em que foram utilizadas camadas dopantes e geometrias de contacto adequadas.
Os díodos de Gunn são utilizados em geradores de micro-ondas, radares, sistemas de comunicação e sistemas de medição. Tem a vantagem de ter uma conceção relativamente simples e a capacidade de funcionar numa banda de frequência alargada. É frequentemente integrado com um ressonador de micro-ondas para obter oscilações estáveis numa frequência específica. Devido às suas propriedades não lineares, este díodo não é utilizado como um elemento retificador clássico, mas como um gerador ativo.
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