Transístores de efeito de campo de junção (JFET) - definição
Transístores de efeito de campo de junção (JFET) - definição
O transístor de efeito de campo de junção (Junction Field-Effect Transistor, JFET) é um elemento ativo semicondutor, pertencente à família dos transístores unipolares, cujo funcionamento se baseia no controlo do fluxo de corrente através de um campo elétrico. Ao contrário dos transístores bipolares, o JFET é controlado por tensão e os portadores que dominam a condução são cargas de um só tipo - electrões em estruturas do tipo n ou buracos em estruturas do tipo p.
A estrutura do JFET é constituída por um canal semicondutor através do qual a corrente flui do dreno (D) para a fonte (S) e por um elétrodo de porta (G) que forma um conetor p-n com o canal. Em condições normais, o canal é condutor, e a aplicação de uma tensão negativa à porta (para JFETs do tipo n) faz com que a camada de barreira se expanda e a secção transversal ativa do canal diminua. Isto tem o efeito de reduzir a corrente de drenagem. Quando a tensão da porta atinge a chamada tensão de corte, o canal fica completamente bloqueado e o fluxo de corrente cessa.
Uma caraterística do JFET é a sua elevada impedância de entrada, que resulta do facto de a porta dos Conectores p-n estar polarizada negativamente e praticamente não consumir corrente. Isto torna os Transístores deste tipo ideais para circuitos de entrada de amplificadores de sinal de baixa potência, circuitos selectivos e filtros analógicos. Também se caracterizam por um baixo nível de ruído, o que é importante em circuitos de áudio e de medição.
O funcionamento do JFET é linear numa vasta gama de parâmetros, e as suas caraterísticas de corrente-tensão dependem do comprimento e da largura do canal e do valor da tensão da porta. Parâmetros como a corrente máxima de dreno, a tensão de corte ou a resistência do canal determinam as suas aplicações em circuitos electrónicos específicos.
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