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1MBI200U4H-120L-50

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 62MM

Documentation EN

Fabricant: FUJI

Marque du fabricant:
1MBI200U4H-120L-50
Référence TME:
1MBI200U4H-120L-50

Spécification

Fabricant
FUJI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
200A
Boîtier
62MM
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
400A
Montage mécanique
vissés
Poids brut373.52 g
Certificates
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1MBI200U4H-120L-50
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