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1N5401G

Diode: redresseuse; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; en vrac; Ir: 50uA


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
1N5401G
Référence TME:
1N5401G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de diode
redresseuse
Montage
THT
Tension inverse max.
0,1kV
Courant de conduction
3A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Courant d'impulsion max.
200A
Boîtier
DO27
Genre de la emballage
en vrac
Tension de conduction max.
1V
courant de fuite
50µA
Poids brut1.09 g
Certificates
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1N5401G
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