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1N5817E3

Diode: redressement Schottky; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 450mV

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
1N5817E3
Référence TME:
1N5817E3

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de diode
redressement Schottky
Montage
THT
Tension inverse max.
20V
Courant de conduction
1A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Boîtier
DO41
Tension de conduction max.
0,45V
Courant de conduction max.
1A
Courant d'impulsion max.
50A
courant de fuite
1mA
Poids brut0.32 g
Certificates

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1N5817E3
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