Name: ONSEMI 2N7002ET1G
Brand: ONSEMI
SKU: 2N7002ET1G
Availability: InStock

2N7002ET1G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.16 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.10 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.10 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.07 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.07 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.06 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.06 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.04 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.04 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.04 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.04 USD

Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.03 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.03 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.03 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.03 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.03 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.03 USD

Prix net pour les quantités de 15000 pcs - 0.03 USDPrix brut pour les quantités de 15000 pcs - 0.03 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	0,22A
Courant du drain dans l'impulsion	1,2A
Puissance de dissipation	0,42W
Boîtier	SOT23
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,2Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	0,81nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

2N7002ET1G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 0,22A; Idm: 1,2A; 0,42W