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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	0,28A
Courant du drain dans l'impulsion	1,5A
Puissance de dissipation	0,25W
Boîtier	SOT563F
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	13,5Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

2N7002V

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 0,28A; Idm: 1,5A; 0,25W

Spécification

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