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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	40A
Puissance de dissipation	134W
Boîtier	TO247-3
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	120A
Montage	THT
Charge d'entrée	36nC
Genre de la emballage	tube

AFGHL40T65SPD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3

Spécification