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AFGHL40T65SQD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
AFGHL40T65SQD
Référence TME:
AFGHL40T65SQD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
119W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
68nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut3 g
Certificates
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AFGHL40T65SQD
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