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AFGHL50T65SQDC

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
AFGHL50T65SQDC
Référence TME:
AFGHL50T65SQDC

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
119W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
94nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut3 g
Certificates
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AFGHL50T65SQDC
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