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AFGY100T65SPD

Transistor: IGBT; 650V; 100A; 330W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
AFGY100T65SPD
Référence TME:
AFGY100T65SPD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
100A
Puissance de dissipation
330W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
109nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut3 g
Certificates
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AFGY100T65SPD
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