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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	5,7A
Puissance de dissipation	1W
Boîtier	TSSOP8
Tension entrée-source	±8V
Montage	SMD
Charge d'entrée	10nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun

AO8810

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 5,7A; 1W; TSSOP8

Spécification