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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	12V
Puissance de dissipation	2,5W
Boîtier	DFN6
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	35nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun
Version	ESD

AOC3868

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 12V; 2,5W; DFN6; drain commun

Spécification

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