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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	24V
Courant du drain	8A
Puissance de dissipation	3,1W
Boîtier	DFN
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	35nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun
Version	ESD

AOCA36116C

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 24V; 8A; 3,1W; DFN; ESD

Spécification