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AOD5B65M1

Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Earr: 0,07mJ; Eact: 0,08mJ

Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOD5B65M1
Référence TME:
AOD5B65M1

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
5A
Puissance de dissipation
28W
Boîtier
TO252
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
15A
Montage
SMD
Charge d'entrée
14nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
21ns
Temps d'extinction
157ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
1,57V
Energie d'arrêt
0,07mJ
Energie d'activation
0,08mJ
Poids brut1 g
Certificates

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AOD5B65M1
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