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AOD5B65N1

Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Earr: 0,049mJ; Eact: 0,081mJ

Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOD5B65N1
Référence TME:
AOD5B65N1

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
5A
Puissance de dissipation
21W
Boîtier
TO252
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
15A
Montage
SMD
Charge d'entrée
9,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
23ns
Temps d'extinction
114ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
2,5V
Energie d'arrêt
0,049mJ
Energie d'activation
0,081mJ
Poids brut0.391 g
Certificates
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AOD5B65N1
2419 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.83 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.83 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.56 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.56 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.50 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.50 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs