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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	6A
Puissance de dissipation	38W
Boîtier	TO252
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	18A
Montage	SMD
Charge d'entrée	13,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau

AOD6B65MQ1E

Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252

Spécification