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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	7A
Puissance de dissipation	28W
Boîtier	TO252
Tension entrée - émetteur	±30V
Courant du collecteur d'impulsion	21A
Montage	SMD
Charge d'entrée	14nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Temps de connection	21ns
Temps d'extinction	136ns
Tension de saturation collecteur-émetteur	1,87V
Energie d'arrêt	0,099mJ
Energie d'activation	0,108mJ

AOD7B65M3

Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Earr: 0,099mJ; Eact: 0,108mJ

Spécification