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AOKS40B65H2AL

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Earr: 0,54mJ; Eact: 1,17mJ

Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOKS40B65H2AL
Référence TME:
AOKS40B65H2AL

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
105W
Boîtier
TO247
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
61nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
64ns
Temps d'extinction
151ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
2,05V
Energie d'arrêt
0,54mJ
Energie d'activation
1,17mJ
Poids brut6.157 g
Certificates
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AOKS40B65H2AL
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs