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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-0,55A
Puissance de dissipation	0,55W
Boîtier	DFN3
Tension entrée-source	±8V
Montage	SMD
Charge d'entrée	0,75nC
Genre de canal	enrichi

AON1605

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -0,55A; 550mW; DFN3

Spécification