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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	0,55A
Puissance de dissipation	0,55W
Boîtier	DFN3
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	275mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	0,85nC
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

AON1606

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 20V; 0,55A; 0,55W; DFN3; ESD

Spécification

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