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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-3A
Puissance de dissipation	0,95W
Boîtier	DFN6
Tension entrée-source	±8V
Montage	SMD
Charge d'entrée	8,5nC
Genre de canal	enrichi

AON2803

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -20V; -3A; 950mW; DFN6

Spécification