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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	3,5A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	DFN6
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	37mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	2,2nC
Genre de canal	enrichi

AON2812

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 3,5A; 1,6W; DFN6

Spécification

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