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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	3,1A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±12V
Montage	SMD
Charge d'entrée	11nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun

AON3816

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 3,1A; 1,6W; DFN8

Spécification