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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	10A
Puissance de dissipation	1W
Boîtier	DFN2x5
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	6,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	22nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun
Version	ESD

AON5816

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 10A; 1W; DFN2x5; ESD

Spécification