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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	13A
Puissance de dissipation	8W
Boîtier	DFN5x6B
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	6,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	19,7nC
Genre de canal	enrichi

AON6816

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 13A; 8W; DFN5x6B

Spécification