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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	21/33A
Puissance de dissipation	9/12W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	13,7/7,3mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	6,6/7nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

AON6912A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 21/33A; 9/12W; DFN5x6

Spécification