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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	18A
Courant du drain dans l'impulsion	40A
Puissance de dissipation	9,2W
Boîtier	DFN3x3A
Tension entrée-source	±16V
Résistance en état de conduction	11,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	11nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

AONH36328

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 18A; Idm: 40A; 9,2W

Spécification