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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-20A
Puissance de dissipation	9,6W
Boîtier	DFN3x3
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	16,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	11nC
Genre de canal	enrichi

AONR21321

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -20A; 9,6W; DFN3x3

Spécification

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