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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	31,5A
Puissance de dissipation	21,5W
Boîtier	DFN3.3x3.3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	10,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	35nC
Genre de canal	enrichi

AONR62921

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 31,5A; 21,5W; DFN3.3x3.3

Spécification