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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	56A
Puissance de dissipation	119W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,35mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	150nC
Genre de canal	enrichi

AONS32302

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 56A; 119W; DFN8

Spécification

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